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IT之家
10 天
消息称三星电子已将 1c nm 内存开发良率里程碑推迟半年,恐影响 HBM4
IT之家1 月 21 日消息,韩媒 MoneyToday 当地时间昨日表示,三星电子已将其 1c nm DRAM 内存开发的良率里程碑时间从 2024 年底推迟至 2025 年 6 月,而这一变化可能会影响到三星对 HBM4 内存的规划。 三星电子原计划在 2024 年 12 月将 1c nm 制程 DRAM 的良率提升至 70% ...
IT之家
14 天
消息称 SK 海力士有望 2 月启动业界最先进 1c nm 制程 DRAM 内存量产
IT之家1 月 17 日消息,韩媒 MT(IT之家注:全称 MoneyToday)当地时间今日报道称,SK 海力士近日已成功完成内存业界最先进 1c 纳米制程 DRAM 的批量产品认证,连续多个以 25 块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求。 SK 海力士有望在完成量产交接手续后于 2 ...
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